英文:normal pressure CVD / 中文:常压化学气相沉积

  在正常气压下进行化学气相沉积的方法。通常采用高频感应加热方式，在石墨衬底上放置片状衬底(如以硅为衬底) ，在其上可沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。另外，还可采用电阻加热多喷头装置，用硅烷、磷浣和氧为原料，以氮气稀释，在400'C左右沉积氧化硅或磷硅玻璃。由于采用连续传送装置，可以提高产量，并改善均匀性。

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