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英文:oxide-etch-rate modification / 中文:氧化物腐蚀速率改变
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用化学腐蚀方法去除半导体片表面氧化膜速率的改变。其原因是由于氧化膜中掺入杂质原子，特别是在氧化膜作为掩模的固态扩散期间，由于掺入的高浓度杂质使蚀刻速度增加。
PCB打样请联系020-89811835
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氧化物腐蚀速率改变PDF版下载：
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