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英文:proximity exposure / 中文:接近式曝光
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  光刻工艺的前道工序，即在掩模板与半导体品片之间留有约10μm 间隙的曝光工艺。接近式曝光能够克服接触式曝光的一些固有缺点，但任何表面的不平坦将使掩模与晶片不能很好的分开，而且仍然存在由于光衍射造成的低分辨率和掩模板损伤的问题。

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与接近式曝光相关词：
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